該電子束蒸發方式鍍膜儀，主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜，微納器件微加工，電鏡樣品預處理等，尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質襯底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜。

電子束蒸發鍍膜儀設備技術參數

使用條件	環境溫度	5℃～40℃
	電源	380V
	功率	≤20KW
	水壓	≤2.5bar
真空室尺寸	蒸發室尺寸	φ500×H500(㎜)
	過渡倉庫	φ280×H300(㎜)
電子槍	新型電子槍1套，6穴坩堝
離子源	考夫曼離子源K08一套
樣品轉盤	樣品尺寸：≤φ150mm，樣品可旋轉，也可上下升降調節樣品到電子槍距離(樣品托形狀按用戶要求設計),加熱溫度≤500℃
系統真空度	極限真空	經12～24小時烘烤，連續抽氣≤5x10-5Pa
	抽氣速率	從大氣開始40分鐘內真空度≤5x10-4Pa
	系統漏率	整機漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵關機12小時后，測量真空室真空度≤10Pa
抽真空系統	TY1200分子泵+機械泵(VRD-30)系統，并設置旁路抽氣
鍍膜監測	采用TM160膜厚儀進行監測
鍍膜厚度的不均勻度	≤3%