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原子層沉積（ALD）系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制造、納米技術(shù)、光電器件、以及其他高科技領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
**的厚度控制：ALD通過交替引入不同的前驅(qū)體氣體，在基板表面進(jìn)行自限性反應(yīng)，每次反應(yīng)只沉積一個(gè)原子層，確保了膜厚的原子級別**控制。
均勻的薄膜覆蓋：該系統(tǒng)能夠在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和高縱橫比的基板上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積，這在傳統(tǒng)的沉積方法中較為困難。
廣泛的材料兼容性：ALD系統(tǒng)可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物、金屬和合金等，適應(yīng)不同的工藝需求。
高質(zhì)量薄膜：沉積的薄膜具有高密度、低缺陷和優(yōu)良的電學(xué)和機(jī)械性能，適用于高要求的應(yīng)用場景。
溫和的工藝條件：ALD工藝通常在較低溫度下進(jìn)行，有利于在熱敏感材料或器件上沉積薄膜。
技術(shù)參數(shù)：
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型號 |
CY-200S-ALD |
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反應(yīng)腔 |
可以生長*大 8 英寸方形樣品的標(biāo)準(zhǔn)腔體，標(biāo)準(zhǔn)*大樣品高度 20mm；。 基底加熱溫度 RT-400℃可控，控制精度±1℃；腔體烘烤溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃ |
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沉積模式 |
包括以下 2 種工作模式： 高速沉積的連續(xù)模式 TM （Flow TM ） 沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式 TM （StopFlow TM ） |
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前驅(qū)體源 |
共 5 路前驅(qū)體源；1 路為常溫源，4 路為加熱源，加熱溫度 RT-200℃可控，控制精度±1℃；加熱源配備高溫手動(dòng)閥；標(biāo)準(zhǔn)前驅(qū)體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等，制備氧化物，氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關(guān)前驅(qū)體源。 |
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前驅(qū)體管路 |
所有前驅(qū)體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級管路，所有管路加熱溫度RT-150℃可控。 |
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ALD 閥 |
每一路前驅(qū)體配置一個(gè)原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥；ALD 閥采用系統(tǒng)集成的表面安裝，維修更換時(shí)可以用盲板代替；閥體加熱溫度RT-150℃可控 |
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真空規(guī) |
進(jìn)口寬范圍真空規(guī)，測量范圍 2x10-4 to 10+3torr |
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排氣管路 |
排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控；配置截止閥一個(gè)，加熱溫度 RT-150℃可控。 |
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臭氧發(fā)生器系統(tǒng) |
高濃度臭氧發(fā)生器，包括管路，裂解器附件；*高產(chǎn)量>15g/h，功率0~300W可調(diào)，*大濃度>3.5%(w/w) |
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升級接口 |
升級6路前驅(qū)體源的升級接口； 用于原位升級微波等離子體源或者分子動(dòng)能系統(tǒng)的硬件軟件接口； 以上升級接口可以實(shí)現(xiàn)原位升級，無需將設(shè)備返回廠家。 |
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控制硬件 |
PLC 控制系統(tǒng)。 |
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控制軟件 |
autoALDTM專用軟件全自動(dòng)控制加熱、流量、等全部沉積過程，以及溫度、壓強(qiáng)等實(shí)時(shí)監(jiān)控。 |
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真空機(jī)械泵 |
型號：TRP-6。 |
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保修 |
1 年免費(fèi)保修，自驗(yàn)收之日起。 |
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安裝培訓(xùn) |
工程師現(xiàn)場安裝培訓(xùn)。 |
主要部件：
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部件名稱 |
部件說明 |
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主機(jī) |
8 英寸方形原子層沉積系統(tǒng) 包括： 5路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶， 4路為加熱源，1路為常溫源 沉積自動(dòng)控制系統(tǒng), autoALDTM沉積程序控制軟件, 預(yù)裝Windows TM的筆記本電腦, |
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臭氧發(fā)生器系統(tǒng) |
高濃度臭氧發(fā)生器，包括管路，裂解器附件*高產(chǎn)量>15g/h，*大濃度>3.5%(w/w) |
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高樣品腔蓋 |
用于裝載高(適合高樣品高度 ≤ 20 mm)樣品 |
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真空機(jī)械泵系統(tǒng) |
機(jī)械泵與相關(guān)管路 真空機(jī)械泵型號：北儀優(yōu)成 TRP-6 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 半導(dǎo)體制造
柵極氧化物：用于制造先進(jìn)的半導(dǎo)體器件，如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。
高k電介質(zhì)：在集成電路中沉積高介電常數(shù)材料，以提高器件性能和降低漏電。
銅互連：通過沉積阻擋層和種子層，改善半導(dǎo)體芯片中的銅互連結(jié)構(gòu)。
2. 存儲器件
DRAM與閃存：在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和閃存（如3D NAND）中沉積高k材料和導(dǎo)電層，以提升存儲密度和性能。
3. 光電器件
太陽能電池：在薄膜太陽能電池中沉積透明導(dǎo)電氧化物或鈍化層，提升光電轉(zhuǎn)換效率。
LED和OLED：沉積發(fā)光層和電極材料，以提高有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）和發(fā)光二極管（LED）的性能。
4. 納米技術(shù)
納米結(jié)構(gòu)涂層：在納米線、納米管等復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)上均勻沉積薄膜，優(yōu)化光學(xué)和電學(xué)特性。
量子點(diǎn)涂層：在量子點(diǎn)材料上沉積保護(hù)性或功能性薄膜，提高其穩(wěn)定性和效率。
5. 防護(hù)涂層
電子產(chǎn)品：在電子器件上沉積防潮、防腐蝕涂層，延長使用壽命。
醫(yī)療器械：在生物材料和植入物上沉積生物相容性涂層，改善其與人體組織的相容性。
6. 催化劑制備
**催化劑層：通過控制催化劑層的厚度和分布，提升催化性能，廣泛應(yīng)用于化學(xué)反應(yīng)和能源轉(zhuǎn)化領(lǐng)域。
7. 能源存儲
電池電極：在鋰離子電池和超級電容器中沉積薄膜電極材料，提高能量密度和循環(huán)壽命。
燃料電池：用于燃料電池中電極和質(zhì)子交換膜的薄膜沉積，提升電池效率和耐久性。
8. 傳感器
氣體傳感器：在氣體傳感器上沉積敏感薄膜，提升其對目標(biāo)氣體的檢測靈敏度和選擇性。
生物傳感器：在生物傳感器上沉積功能性薄膜，增強(qiáng)對生物分子的識別和檢測能力。
9. 顯示技術(shù)
薄膜晶體管（TFT）：在液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光顯示器（OLED）中用于制造薄膜晶體管，改善顯示器性能。
觸摸屏：在觸摸屏中沉積導(dǎo)電薄膜，提升屏幕的電學(xué)性能和觸控靈敏度。
應(yīng)用案例（在硅片或者玻璃片上沉積Al2O3）
在硅片或玻璃片上使用原子層沉積（ALD）技術(shù)沉積氧化鋁（Al2O3）薄膜的過程通常包括以下步驟。該過程主要依賴于前驅(qū)體和反應(yīng)氣體的交替引入，以實(shí)現(xiàn)原子級別的薄膜生長。
